Siliziumkarbid-Leistungsmodul für Photovoltaikwechselrichter
IV3B20023BA2 - Optimiert für MPPT-Anwendungen
Das IV3B20023BA2 von INVENTCHIP Technology (IVCT) ist ein speziell für MPPT-Anwendungen (Maximum Power Point Tracking) in Photovoltaiksystemen entwickeltes SiC-Leistungsmodul. Im standardisierten Easy-3B-Gehäuse vereint es eine Sperrspannung von 2000V und einen Nennstrom von 40A. Das Modul integriert vier SiC-MOSFETs mit einem niedrigen Einschaltwiderstand von 23mΩ sowie vier 40A-Dioden und eignet sich insbesondere für den Einsatz in 4-phasigen Boosterstufen moderner PV-Anlagen.
Datenblatt herunterladenBooster-Architektur für hohe Effizienz
Die vier Booster-Phasen sind in zwei elektrisch voneinander getrennte Gruppen aufgeteilt. Jede Gruppe umfasst zwei Boost-Schaltungen mit gemeinsamer Masse und jeweils separatem Boost-Ausgang. Die 40A-SiC-Dioden zeichnen sich durch geringe Verluste mit einem Spannungsabfall von <0,5V und einem niedrigen Rds(on) aus.
Robustes Gehäuse mit hoher Isolationsfestigkeit
Das Modul ist mit dem weit verbreiteten Easy-3B-Gehäusestandard kompatibel und bietet eine Kriechstrecke von mindestens 10mm. Dadurch erfüllt es hohe Anforderungen an die elektrische Isolation und eignet sich für anspruchsvolle Hochspannungsanwendungen im PV-Bereich.
Hauptmerkmale
- 4-Phasen-Boost-Stufe mit 23mΩ SiC-MOSFETs und 40A-SiC-Dioden
- Maximale Modulspannung bis zu 2000V
- 3B-Gehäuse, kompatibel mit dem Easy-3B-Gehäuse mit 10mm Kriechstrecke
- Integrierter NTC zur Temperaturüberwachung
- Betriebstemperatur bis zu 175°C
- Geringe Schaltverluste und sehr geringer Spannungsabfall
- Langzeitstabilität und lange Lebensdauer dank robustem Siliziumkarbid-Material
Anwendungen
- 1500V Photovoltaik Inverter
- MPPT Steuerungen
Warum eignet sich das IV3B20023BA2 besonders für MPPT-Schaltungen in PV-Anlagen?
Das IV3B20023BA2 Modul vereinfacht die Entwicklung von MPPT-Boosterstufen erheblich, da keine externen Kondensatoren erforderlich sind, der Umfang der Ansteuerschaltung auf die Hälfte reduziert wird und gleichzeitig patentkritische Flying-Cap-Topologien vermieden werden.
Industrietauglichkeit und hohe Spannungsreserve
Das Modul ist für industrielle Anwendungen qualifiziert und bietet mit der 2000V-Technologie eine ausreichende Spannungsreserve für 1500V Anlagen.
Muster sind bei CODICO verfügbar. Erfahren Sie mehr über IGBT & MOSFET Gate-Driver ICs.
Ihr Ansprechpartner
Thomas Merkel informiert Sie gerne über die IV3B20023BA2-Module von INVENTCHIP.
